STF11N65M5技术参数详情：
STF11N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为650V漏源电压和9A连续漏极电流（Tc），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动下，Rds(on)典型值仅为480mΩ，而栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能，有助于提升整体电源转换效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，并具备25W的功率耗散能力，展现了出色的热管理和可靠性。
- 型号:STF11N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF11N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
