STP03D200技术参数详情：
STP03D200是ST意法半导体生产的一款高压NPN达林顿晶体管，采用TO-220-3通孔封装。其核心电气参数包括高达1200V的集射极击穿电压和100mA的最大集电极电流，专为高压、小电流的开关与放大应用而设计。
该器件在30mA集电极电流、10V集射极电压下的最小直流电流增益（hFE）为200，结合仅2V的典型饱和压降，提供了优异的信号放大能力和较低的导通损耗。其最大功耗为40W，支持最高150°C的结温工作，确保了在功率应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP03D200
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 1200V 0.1A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2V @ 500A，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 30mA，10V
- 功率 - 最大值:40 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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