


STL35N15F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用PowerFlat(5x6)表面贴装封装,核心优势在于其150V的漏源电压(Vdss)和高达33A(Tc)的连续漏极电流处理能力。
其关键技术卖点在于极低的导通电阻,在10V Vgs条件下最大值仅为40毫欧,这能显著降低导通损耗。同时,优化的栅极电荷(最大值49.4nC @ 10V)有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为对效率和功率密度有较高要求的电源转换与电机驱动应用的理想选择。
