STP110N10F7技术参数详情：
STP110N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件基于先进的STripFET VII和DeepGATE技术，核心优势在于极低的功率损耗与出色的开关效率。
其关键电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达110A（Tc）的连续漏极电流处理能力。最突出的特性是在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至7毫欧（@55A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。
综合其高电流能力、低导通电阻和优化的开关特性，STP110N10F7主要面向高效率电源转换、电机驱动和大电流开关等应用，为设计工程师提供了一个可靠的高性能功率开关解决方案。
- 型号:STP110N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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