STP110N55F6

STP110N55F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于结合了STripFET VI先进技术，实现了极低的导通电阻与高电流处理能力的平衡。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.2mΩ @ 60A，配合110A（T_C）的连续漏极电流额定值，能显著降低功率应用中的传导损耗。其55V的漏源电压（V_DSS）和优化的栅极电荷（Q_g）特性，使其成为高效率开关和功率转换设计的理想选择。

• 型号:STP110N55F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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