STP110N8F6技术参数详情：
STP110N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其80V的漏源电压和高达110A的连续漏极电流处理能力，能够胜任高功率应用场景。
其技术亮点集中体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值低至6.5毫欧（@55A），这极大地降低了导通状态下的功率损耗。同时，150nC的栅极电荷（Qg）（最大值）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升整体系统效率。这些参数使其成为对效率和功率密度有严苛要求的电源转换与电机驱动方案的理想选择。
- 型号:STP110N8F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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