STL225N6F7AG

STL225N6F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET F7产品系列，采用先进的半导体技术，在60V的漏源电压（V_DSS）下可提供高达120A的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻（典型值1.4mΩ @10V, 60A），旨在最大限度地降低导通损耗。

其性能特点还包括较低的栅极电荷（典型值98nC @10V），这有助于实现高效率的快速开关操作，减少开关损耗。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持高达188W的功率耗散，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。这些特性使其成为汽车环境中高功率、高能效应用的理想选择，例如电动助力转向、48V系统DC-DC转换及电机驱动等。

• 型号:STL225N6F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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