STP11N60DM2技术参数详情：
STP11N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，结合仅420毫欧的低导通电阻，为高压大电流开关应用提供了低导通损耗的基础。
同时，其栅极电荷最大值低至16.5nC，输入电容也得到有效控制，这使得它在高频开关状态下能显著降低开关损耗和驱动需求，提升整体能效。采用TO-220封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的可靠性与散热性能，是一款针对高效电源转换和电机驱动优化的功率开关解决方案。
- 型号:STP11N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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