STP3HNK90Z技术参数详情：
STP3HNK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Tc条件下），设计用于高耐压开关场景。
其技术亮点在于平衡了高压与导通性能，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC，有助于降低开关损耗并提升效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为90W（Tc），适用于对可靠性和热管理有要求的工业级应用。
- 型号:STP3HNK90Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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