STP11NM65N技术参数详情：
STP11NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。凭借MDmesh II技术，它在10V栅极驱动下实现了仅455mΩ的低导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，29nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择。
- 型号:STP11NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP11NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
