STP12N65M5技术参数详情：
STP12N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与低至430毫欧的导通电阻的出色结合，为高压应用提供了低导通损耗的解决方案。
同时，其最大仅22nC的低栅极电荷特性，显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作，有助于提升电源系统的功率密度和整体效率。在25°C壳温下可承受8.5A的连续电流，最大结温达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP12N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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