STP12NK80Z

STP12NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件设计用于高效功率开关应用，其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至750毫欧（最大值）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，有助于降低导通损耗。

在10V驱动电压下，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速开关并减少开关损耗。器件在壳温25°C时可承受10.5A的连续电流，最大功耗达190W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在苛刻环境下的鲁棒性和可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高压功率转换电路的理想选择。

• 型号:STP12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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