STP12NM50N技术参数详情：
STP12NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与11A的连续漏极电流（Id）能力，为功率开关应用提供了坚实的电压与电流基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为380毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至30nC，这有助于提升系统效率并简化驱动设计。这些特性使其非常适用于开关电源、电机控制等要求高效能与高可靠性的功率电子领域。
- 型号:STP12NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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