STB13NK60ZT4技术参数详情：
STB13NK60ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的优势地位：600V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而13A的连续漏极电流（Id）额定值则支持较高的功率处理水平。
该器件的关键卖点在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值表现出色，有助于降低传导损耗。同时，最大92nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗，这对于提升开关电源的工作频率和整体效率至关重要。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）进一步保障了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性。
- 型号:STB13NK60ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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