STP12NM60N技术参数详情：
STP12NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，专为高压、高可靠性开关应用而设计。
其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为410毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大30.5nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业功率控制等应用的理想功率开关选择。
- 型号:STP12NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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