STGP20M65DF2技术参数详情：
STGP20M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220封装。该器件旨在提供卓越的功率处理能力与开关效率的平衡。
其核心优势在于较低的饱和压降（2V @ 15V， 20A）与优化的开关特性（开启/关断能量分别为140J和560J），这直接转化为更低的导通与开关损耗。结合高达175°C的结温工作范围和166W的功率耗散能力，确保了其在严苛工况下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换等高要求应用。
- 型号:STGP20M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:166 W
- 开关能量:140J（导通），560J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:63 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
- 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):166 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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