STP130N8F7技术参数详情：
STP130N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-220封装，设计用于处理高达80V的电压和80A的连续电流，最大功耗为205W，为高功率应用提供了坚实的硬件基础。
其核心优势在于实现了低导通电阻与良好开关特性的结合，标准驱动电压为10V，并支持4.5V低压驱动以进一步优化导通性能。这些参数使其特别适合要求高效率与高可靠性的功率开关场景，例如工业电源转换、电机驱动和大电流负载开关等。
- 型号:STP130N8F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:205W（Tc）
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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