STD7NM60N

STD7NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与仅900毫欧的低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中有效降低传导损耗。

其5A的连续漏极电流（Id）额定值和14nC的低栅极电荷（Qg），配合DPAK表面贴装封装，使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。这些特性共同确保了器件在开关电源和电机驱动等应用中，能够实现快速开关、低功耗和高可靠性运行。

• 型号:STD7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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