STP13N60DM2技术参数详情：
STP13N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为600V漏源电压和11A连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在优化的动态特性上，包括低至365毫欧的导通电阻和仅19nC的栅极电荷，这共同确保了较低的导通与开关损耗，有助于提升系统整体效率。该MOSFET设计用于在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，适用于对可靠性和能效有较高要求的工业级与消费类电源产品。
- 制造商产品型号：STP13N60DM2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh DM2
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：730pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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