STP13NM60N

STP13NM60N是STMicroelectronics基于MDmesh II技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V/11A的电压电流额定值，结合低至360毫欧的导通电阻（Rds(on)），能够在高压开关应用中显著降低传导损耗，提升能效。

其动态特性经过优化，栅极电荷（Qg）仅为30nC，配合较低的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，适用于高频开关电源设计。封装采用工业标准的TO-220-3，提供良好的功率处理能力和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保障了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:STP13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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