STP140N6F7技术参数详情：
STP140N6F7是STMicroelectronics推出的STripFET系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其优异的低导通电阻与高电流处理能力，其漏源电压（Vdss）为60V，在壳温条件下连续漏极电流（Id）可达80A。
其关键电气参数定义了出色的性能表现：在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为3.5毫欧（@40A），有效降低了导通损耗；同时，55nC（@10V）的栅极电荷有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适用于要求高效率和高可靠性的功率开关与电机驱动应用。
- 型号:STP140N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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