STP14NF10

STP14NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于结合了100V的耐压与15A的电流处理能力，并凭借STripFET II技术实现了优异的效率表现。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻低至130毫欧（@7A），能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为21nC，有助于实现快速开关并减少驱动电路的能量消耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用中高效、可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STP14NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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