STP17N80K5技术参数详情：
STP17N80K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，核心特性包括800V的高漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），旨在满足高压、高功率应用的需求。
其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值为340mΩ @ 7A, 10V）和优化的栅极电荷（Qg），这共同实现了更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和170W的功率耗散能力，确保了在工业电源、电机驱动等严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 制造商产品型号：STP17N80K5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh K5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 7A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：866pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
- 现在可以订购STP17N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
