STP14NF12技术参数详情：
STP14NF12是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220-3通孔封装。该器件核心优势在于其120V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合优化的低导通电阻特性，旨在提供高效的功率开关性能。
其技术参数针对开关应用进行了平衡设计，包括较低的栅极电荷和输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），并具备60W的功率耗散能力，确保了在多种功率转换和电机控制应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP14NF12
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 120V 14A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:120 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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