STP150N10F7

STP150N10F7是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VII系列并采用DeepGATE技术。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其优异的电气特性平衡：在100V漏源电压（Vdss）额定值下，提供高达110A的连续漏极电流和极低的4.2毫欧导通电阻（Rds(on)），显著降低了功率传导损耗。

同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为117nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升系统整体效率。宽泛的-55°C至175°C工作结温范围和250W的功率处理能力，使其能够稳定应对高功率密度应用的挑战。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高效率与可靠性的理想选择。

• 型号:STP150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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