STP150NF55技术参数详情：
STP150NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其55V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A电流条件下，Rds(on)最大值仅为6毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大190nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高功率密度DC-DC转换等应用的优选功率开关解决方案。
- 型号:STP150NF55
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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