STULED524技术参数详情：
STULED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合4A的连续漏极电流能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术参数表现出良好的性能平衡：2.6欧姆的低导通电阻（@10V, 2.2A）有助于降低导通损耗，而12nC的低栅极电荷和340pF的输入电容则有利于实现快速的开关切换，从而优化整体效率。器件支持±30V的宽栅源电压范围，工作结温高达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。
- 制造商产品型号：STULED524
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：525V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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