STP15N65M5

STP15N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括650V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D）能力，提供了坚固的电压阻断和电流处理基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至340毫欧，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，典型值22nC）支持快速开关，从而减少开关损耗。这些特性，结合TO-220封装良好的散热性和150°C的最高工作结温，使其成为提升电源系统效率与功率密度的关键元件。

• 型号:STP15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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