STF11NM60ND技术参数详情：
STF11NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为450毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值30nC）和输入电容（Ciss，最大值850pF）确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。
综合来看，STF11NM60ND通过优化Rds(on)与Qg的折衷，旨在实现高效率的功率转换，主要面向开关电源、电机驱动和工业电源系统等需要高可靠性与高能效的应用领域。
- 型号:STF11NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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