STP15N95K5

STP15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其高达950V的漏源击穿电压（Vdss）与低至500毫欧（@6A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。

器件在25°C壳温下可承受12A的连续漏极电流，最大功率耗散为170W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备强大的功率处理能力和宽温工作可靠性。其低栅极电荷（Qg: 40nC @10V）和输入电容特性，有助于实现快速的开关切换，优化高频开关电源设计的效率与性能。

• 型号:STP15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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