STP15NM60ND技术参数详情：
STP15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压和14A的连续漏极电流，能够承受较高的功率等级。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至299毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为40nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源和功率转换应用中一个值得考虑的功率开关解决方案。
- 型号:STP15NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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