STP165N10F4

STP165N10F4是意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于100V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力，能够胜任中高功率级别的开关任务。

该器件的显著特点是其极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下典型值仅为5.5mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）控制在180nC，有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。

综合其315W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，STP165N10F4为电机驱动、电源转换和各类功率开关应用提供了一个高效、可靠的解决方案。

• 型号:STP165N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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