STP16N65M2

STP16N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括650V的漏源电压（V_dss）和11A的连续漏极电流（I_d），提供了坚固的电压阻断能力和可观的电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优异开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为360毫欧，有助于最小化导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大值19.5nC @10V）和输入电容（C_iss，最大值718pF @100V）确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频开关电源的效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用TO-220封装，最大功率耗散为110W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业环境。

• 型号:STP16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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