STP16NF06L

STP16NF06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于中压、中功率开关应用，核心优势在于其低导通电阻与快速开关特性的结合。

其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）额定值，提供了坚实的功率处理基础。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）极低，配合仅10nC（@5V）的最大栅极电荷（Qg），确保了较低的传导损耗和高效的开关性能，有利于提升系统整体效率并简化驱动设计。

器件采用TO-220AB通孔封装，散热性能良好，工作结温范围宽（-55°C至175°C），适用于对可靠性和环境适应性要求较高的工业及消费类电子应用。

• 型号:STP16NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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