STP6NB90技术参数详情：
STP6NB90是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和5.8A的连续漏极电流（Tc），提供了出色的高压阻断和电流处理能力。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@3A），有助于降低导通损耗。同时，55nC的栅极电荷（Qg）和1400pF的输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性，有利于提升高频开关电源的效率。高达150°C的工作结温（TJ）和135W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的可靠性与耐用性。
- 型号:STP6NB90
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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