STP17NK40Z技术参数详情：
STP17NK40Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性包括400V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温条件下15A的连续电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在较低的导通电阻（250毫欧 @ 7.5A, 10V）与优化的栅极电荷（65nC @ 10V），这共同实现了更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在多样化环境下的稳定运行。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:STP17NK40Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP17NK40Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
