STL55NH3LL技术参数详情：
STL55NH3LL是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的平面工艺技术，在30V的漏源电压（Vdss）下，能够持续处理高达55A（Tc）的电流，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），典型值在10V Vgs下仅为数毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。
此外，该器件具备出色的开关性能，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合较低的输入电容，确保了快速、高效的开关动作，有助于减少开关损耗并提升工作频率。其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为紧凑型、高功率密度的设计提供了可靠的解决方案。
- 型号:STL55NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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