STP180N4F6技术参数详情：
STP180N4F6是STMicroelectronics推出的STripFET F6系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220通孔封装，核心电气参数表现强劲，其漏源电压(Vdss)为40V，在壳温25°C下可支持高达120A的连续漏极电流(Id)。
其技术优势在于极低的导通电阻(Rds(on))，这得益于先进的沟槽栅技术，能够在10V标准栅极驱动下实现高效的电流传输，从而显著降低导通损耗。最大190W(Tc)的功率耗散能力确保了其在高压、大电流工作环境下的稳定性和可靠性，适用于要求高效率与高功率密度的电源转换和电机控制解决方案。
- 型号:STP180N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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