VNV35N07技术参数详情：
VNV35N07是ST意法半导体推出的一款高性能单通道低端智能功率开关，隶属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动电路，采用非反相逻辑输入控制，可直接由微处理器驱动，实现高达25A负载电流的精准通断管理。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值28mΩ）和高达55V的负载电压承受能力，这有效降低了导通损耗并拓宽了应用电压范围。芯片内部集成了固化的多重故障保护功能，包括限流、过温和过压保护，确保了在恶劣电气环境下的高系统可靠性。该产品采用10-PowerSO表面贴装封装，适用于需要紧凑设计和强大驱动能力的汽车及工业负载开关应用。
- 型号:VNV35N07
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:55V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:25A
- 导通电阻（典型值）:28 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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