STP185N10F3

STP185N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，隶属于高性能的STripFET产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下典型值仅为4.8mΩ，能够显著降低传导损耗和温升。

该器件额定漏源电压（V_DSS）为100V，在壳温条件下连续漏极电流（I_D）高达120A，最大功率耗散为300W，具备强大的电流处理与散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和稳健的栅极驱动特性（V_GS max ±20V），确保了其在严苛工业环境下的高可靠性与稳定性。

• 制造商产品型号：STP185N10F3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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