STP185N55F3

STP185N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与出色的开关特性平衡。

其漏源电压（Vdss）为55V，在壳温条件下可连续通过高达120A的电流，最大功耗为330W。关键参数显示，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为3.8毫欧（@60A），同时栅极总电荷（Qg）被控制在100nC以内。这些特性共同确保了在导通和开关状态下的损耗均处于极低水平。

宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步增强了其在严苛环境下的应用可靠性，使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP185N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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