STL7N6LF3技术参数详情：
STL7N6LF3是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F3技术和紧凑的PowerFlat（5x6）封装，在60V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）规格下，提供了优异的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），分别低至43毫欧（@10V）和8.7nC（@10V），这使其在开关应用中能同时实现低传导损耗和低开关损耗，显著提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与逻辑电平兼容的驱动特性，进一步确保了其在汽车电子及工业电源等高要求环境中的可靠性与易用性。
- 型号:STL7N6LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:432 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.3W（Ta），52W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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