STP18NM60N技术参数详情：
STP18NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与13A的连续漏极电流（Id）能力，结合优化的285毫欧级导通电阻，在高压大电流应用中能有效降低导通损耗，提升系统效率。
其技术参数针对快速开关应用进行了优化，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现更快的开关频率和更低的驱动损耗。采用标准的TO-220AB封装，便于散热设计，确保在高达110W的功率耗散和-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STP18NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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