STP19NF20技术参数详情：
STP19NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件基于MESH OVERLAY技术，提供了200V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高压功率开关应用。
其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至160毫欧（@10V，7.5A），能显著降低导通损耗。同时，最大24nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。
器件支持高达90W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高可靠性和鲁棒性，是开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换电路的理想选择。
- 型号:STP19NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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