STP200N4F3

STP200N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用标准的TO-220-3通孔封装，核心优势在于其高达120A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻，在10V Vgs和80A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.4mΩ，能显著降低传导损耗，提升系统效率。

其电气规格包括40V的漏源电压和300W的最大功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高温、高功率环境下的稳定性和可靠性。较低的栅极电荷（75nC @ 10V）有利于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为大电流DC-DC转换、电机驱动及各类电源开关电路中的理想选择。

• 型号:STP200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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