STB200N4F3技术参数详情：
STB200N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、80A电流条件下典型值仅为4毫欧，配合120A（Tc）的连续漏极电流能力，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
其电气规格包括40V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，提供了稳定的工作区间和驱动灵活性。75nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速的开关切换，降低动态损耗。该器件设计用于高功率密度应用，其封装支持高效散热，功率耗散能力达300W（Tc），工作结温范围为-55°C至175°C，适用于对热管理和可靠性要求严苛的工业与通信环境。
- 型号:STB200N4F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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