STP200NF04L技术参数详情：
STP200NF04L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心优势在于其120A（Tc）的高连续电流承载能力与低至3.8毫欧（@50A,10V）的导通电阻，这为高电流应用提供了极低的导通损耗解决方案。
其40V的漏源电压额定值适用于主流低压功率系统，而90nC（@4.5V）的栅极电荷有助于降低开关损耗，提升开关频率。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP200NF04L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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