STP20N65M5技术参数详情：
STP20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为650V漏源电压和18A连续漏极电流，专为高效的高压开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至190毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大45nC）和电容特性确保了较低的开关损耗，有利于提升系统整体能效和频率性能。
该器件适用于开关电源、工业电机控制及照明驱动等领域，为设计人员提供了一个在高电压、大功率场景下兼顾性能与可靠性的选择。
- 型号:STP20N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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