STP20NF06

STP20NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用标准的TO-220AB通孔封装。该器件核心参数包括60V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下20A的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值极低，同时栅极总电荷（Qg）较小，这共同保障了高效率与快速的开关响应。这些特性使其成为各类开关电源、电机驱动及功率调节电路中主开关或同步整流元件的可靠选择。

• 型号:STP20NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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