STP24N60DM2技术参数详情：
STP24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和25°C下18A的连续漏极电流（Id）能力，提供了坚实的功率处理基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（RDS(on)）最大值仅为200毫欧，同时栅极电荷（Qg）典型值低至29nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为150W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在广泛工业环境中的可靠性与耐用性。
- 型号:STP24N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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